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濕法刻蝕專用系統(tǒng)

    CHEMIXX E 30 濕法刻蝕系統(tǒng)專門用于掩膜版與晶圓的刻蝕與清洗,安全性能好,可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液體。

    更新時(shí)間:2022-11-25 17:32:29
  1. 詳細(xì)信息

n產(chǎn)品簡(jiǎn)介

 

CHEMIXX E 30 濕法刻蝕系統(tǒng)專門用于掩膜版與晶圓的刻蝕與清洗,安全性能好,可使用 H2SO4, H2O2,NH4OH,HF,BOE等液體

 

n產(chǎn)品特色

÷ 人工裝卸半自動(dòng)化系統(tǒng)

÷ 掩膜版尺寸(方形襯底)高達(dá) 230 x 230 毫米/9 x 9 英寸

÷ 晶圓尺寸高達(dá) 300 毫米(?12 英寸)

÷ 耐腐蝕工藝室

÷ 兩個(gè)自動(dòng)輸送臂,用于化學(xué)刻蝕及清洗

÷ 輸送臂最大6路管路

÷ 提供多種噴嘴

÷ 低接觸或定制夾頭

÷ 化學(xué)液具有加熱選項(xiàng):20 - 80°C

÷ 腔室沖洗噴嘴系統(tǒng)

÷ 去離子水的 BSR(背面沖洗)噴嘴

÷ 工藝室外的手動(dòng)去離子水槍

÷ 最大的集成3個(gè)化學(xué)試劑容器罐(每個(gè) 10 升),具有化學(xué)液自動(dòng)排放系統(tǒng)

÷ 不同化學(xué)品的外部化學(xué)試劑容器罐可選H2SO4、H2O2、NH4OHHF、BOE

÷ 手動(dòng)灌裝或通過(guò)批量灌裝系統(tǒng)

÷  清洗模組可選用化學(xué)液,噪聲,PVA刷洗,高壓等離子水沖洗

÷  支持SCES/GEM 通訊協(xié)議

 

n技術(shù)數(shù)據(jù)

 

÷ 襯底尺寸最大可達(dá) 230 x 230 mm (9″x 9″)  ? 300mm (?12″)

÷ 電機(jī)轉(zhuǎn)速最大 4.000 rpm步長(zhǎng) 1 rpm

÷ 電機(jī)加速最大 5.000 rpm/s, 步長(zhǎng) 1 rpm/s

÷ 步進(jìn)時(shí)間: 1  999.9 秒,步長(zhǎng) 0.1 s

÷ 工藝腔材料PP  (可選 PVDF)

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