RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)
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CIF推出RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)，科研院所、微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低，性?xún)r(jià)比高，易維護(hù)，處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。
更新時(shí)間：2024-03-18 16:21:40
產(chǎn)品特點(diǎn)
◆ 7 寸彩色觸摸屏中英文互動(dòng)操作界面，自動(dòng)控制監(jiān)測(cè)工藝參數(shù)狀態(tài)，20 個(gè)配方程序，工藝數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)追溯。
◆ PLC 工控機(jī)控制整個(gè)清洗過(guò)程，手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。
◆ 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用 316 不銹鋼材質(zhì)，耐腐蝕無(wú)污染。
◆ 采用防腐數(shù)字流量計(jì)， 實(shí)現(xiàn)對(duì)氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng)， 可選多氣路氣體輸送系統(tǒng)， 可輸入氧氣、氬氣、 氮?dú)狻⑺姆?、氫氣或混合氣等氣體。
◆ 采用花灑式多孔進(jìn)氣方式，改變單孔進(jìn)氣不均勻問(wèn)題。
◆ HEPA 高效過(guò)濾，氣體返填吹掃，防止二次污染。
◆ 符合人體功能學(xué)的 60 度傾角操作界面設(shè)計(jì)，操作方便，界面友好。
◆ 采用頂置真空艙，上開(kāi)蓋設(shè)計(jì)，下壓式鉸鏈開(kāi)關(guān)方式。
◆ 上置式 360 度水平取放樣品設(shè)計(jì)，符合人體功能學(xué)，操作更方便。
◆ 有效處理面積大，可處理最大直徑 154mm 晶元硅片。
◆ 安全保護(hù)，艙門(mén)打開(kāi)，自動(dòng)關(guān)閉電源，機(jī)器運(yùn)行、停止提示。
技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | RIE200 | RIE200plus |
艙體內(nèi)尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電極 | 不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm | 不銹鋼氣浴 RIE 電極， Φ200mm |
匹配器 | 自動(dòng)匹配 | 自動(dòng)匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 0-600W 可調(diào)（可選 0-1000W） | 0-300W 可調(diào)（可選 0-600W） |
氣體控制 | 質(zhì)量流量計(jì)（MFC）（標(biāo)配雙路，可選多路）流量范圍 0-500SCCM（可調(diào)） | |
工藝氣體 | Ar、N ?、O ?、H ?、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合氣體等（可選） | |
最大處理尺寸 | Φ154mm | |
產(chǎn)品尺寸 | L520xW600xH420mm | |
包裝尺寸 | L700xW580xH490mm | |
時(shí)間設(shè)定 | 9999 秒 | |
真空泵 | 抽速約 8m3/h | |
氣體穩(wěn)定時(shí)間 | 1 分鐘 | |
極限真空 | =1Pa | |
電源 | AC220V 50-60Hz，802（1202）502（802）W 所有配線(xiàn)符合《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線(xiàn)路設(shè)計(jì)規(guī)范》等國(guó)標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。 | |
整機(jī)重量 | 38kg | |
備注： 可選：1、冷卻循環(huán)水器：溫度控制范圍 -20-100℃;
2、分子泵：分子泵抽速 85L/s（N2）極限真空：LF<8*10-6Pa，CF<8*10-7Pa。